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介質(zhì)損耗的表征方法

更新時(shí)間:2022-10-19      點(diǎn)擊次數(shù):2876

介質(zhì)損耗的表征方法

有關(guān)介質(zhì)的損耗描述方法有多種,哪一種描述方法比較方便,需根據(jù)用途而定。

損耗角正切

tg?

介質(zhì)損耗大小

損耗因子

?tg?

作為絕緣材料的選擇依據(jù)

品質(zhì)因素

Q=1/tg?

應(yīng)用于高頻

損耗功率

p

功率的計(jì)算

等效電導(dǎo)率

?=????

電介質(zhì)發(fā)熱

復(fù)介電常數(shù)的復(fù)項(xiàng)

???

研究材料的功率、發(fā)熱

1、介質(zhì)損耗角δ

在交變電場(chǎng)作用下,電介質(zhì)內(nèi)流過(guò)的電流相量和電壓相量之間的夾角(功率因數(shù)角Φ)的余角(δ)。 簡(jiǎn)稱介損角

image.png

2、介質(zhì)損耗正切值tgδ

又稱介質(zhì)損耗因數(shù),是指介質(zhì)損耗角正切值,簡(jiǎn)稱介損角正切。介質(zhì)損耗因數(shù)的定義如下

image.png

image.png

這正是損失角δ=(90°-Φ)的正切值。因此現(xiàn)在的數(shù)字化儀器從本質(zhì)上講,是通過(guò)測(cè)量δ或者Φ得到介損因數(shù)。

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損耗角正切:

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復(fù)介電常數(shù)

1)復(fù)介電常數(shù)的含義

電極化的基本過(guò)程有三:

①原子核外電子云的畸變極化;

②分子中正、負(fù)離子的(相對(duì))位移極化;

③分子固有電矩的轉(zhuǎn)向極化。

在外界電場(chǎng)作用下,介質(zhì)的介電常數(shù) ε是綜合地反映這三種微觀過(guò)程的宏觀物理量;它是頻率 ω的函數(shù)ε(ω)。

低頻極化

只當(dāng)頻率為零或頻率很低(例如1千赫)時(shí),三種微觀過(guò)程都參與作用,這時(shí)的介電常數(shù)ε(0)對(duì)于一定的電介質(zhì)而言是個(gè)常數(shù),通稱為介電常數(shù),這也就是靜電介電常數(shù)εs或低頻介電常數(shù)。

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中頻極化

隨著頻率的增加,分子固有電矩的轉(zhuǎn)向極化逐漸落后于外場(chǎng)的變化,這時(shí),介電常數(shù)取復(fù)數(shù)形式ε(ω)=ε′(ω)-jε″(ω),其中虛部ε″(ω)代表介質(zhì)損耗;它是由于電極化過(guò)程追隨不上外場(chǎng)的變化而引起的。

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實(shí)部隨著·頻率的增加而顯著下降,虛部出現(xiàn)峰值。


高頻極化

頻率再增加,實(shí)部ε′(ω)降至新值,虛部ε″(ω)變?yōu)榱悖@表示分子固有電矩的轉(zhuǎn)向極化已不能響應(yīng)了。

當(dāng)頻率進(jìn)入到紅外區(qū),分子中正、負(fù)離子電矩的振動(dòng)頻率與外場(chǎng)發(fā)生共振時(shí),實(shí)部ε′(ω)先突然增加,隨即陡然下降,ε″(ω)又出現(xiàn)峰值;

過(guò)此以后,正、負(fù)離子的位移極化亦不起作用了。 

image.png

2)漏導(dǎo)復(fù)介電常數(shù):

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復(fù)介電常數(shù):

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損耗角正切

image.png

ε’和ε"是依賴于頻率的量

介質(zhì)的損耗由復(fù)介電常數(shù)的虛部???引起,通常電容電流由實(shí)部??引起,相當(dāng)于實(shí)際測(cè)得介電常數(shù)。

2)極化損耗的復(fù)介電常數(shù)

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交變電場(chǎng)作用下的P(t)為:

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A.極化損耗復(fù)介電常數(shù)

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B.極化損耗復(fù)介電常數(shù)含義:

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D.復(fù)介電常數(shù)的德拜表達(dá)式

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其中: ?(0) -----低或靜態(tài)的相對(duì)介電常數(shù)

             ?? ------ ???時(shí)的相對(duì)介電常數(shù)


4、介質(zhì)損耗功率

1)直流電壓下    PW=IU=GU2             G為介質(zhì)的電導(dǎo),單位為西門子(S)。

定義單位體積的介質(zhì)損耗為介質(zhì)損耗功率p,

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V為介質(zhì)體積,σ為純自由電荷產(chǎn)生的電導(dǎo)率(S/m)。

在一定的直流電場(chǎng)下,介質(zhì)損耗率取決于材料的電導(dǎo)率

image.png


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